產(chǎn)品資料
半導(dǎo)體制造測量用高真空工藝監(jiān)測真空計(jì)
產(chǎn)品名稱: 半導(dǎo)體制造測量用高真空工藝監(jiān)測真空計(jì)
產(chǎn)品型號(hào): M-336MX
產(chǎn)品特點(diǎn): 半導(dǎo)體制造測量用高真空工藝監(jiān)測真空計(jì)半導(dǎo)體制造裝置測量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空5×10?¹¹ – 1×10?² Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg
半導(dǎo)體制造測量用高真空工藝監(jiān)測真空計(jì) 的詳細(xì)介紹
半導(dǎo)體制造測量用高真空工藝監(jiān)測真空計(jì)
半導(dǎo)體制造測量用高真空工藝監(jiān)測真空計(jì)
半導(dǎo)體制造裝置測量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg
一、產(chǎn)品定位
- 半導(dǎo)體制造裝置測量用：MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
- 晶體離子真空計(jì)：晶振 + 離子復(fù)合，5×10?11 – 1×10?2 Pa
- 高真空/超高真空：10?11 Pa 級(jí)，適合超高真空工藝監(jiān)測
- M-336MX：晶振 + 離子復(fù)合，0.1 s 響應(yīng)，重量 0.9 kg
二、核心技術(shù)參數(shù)（M-336MX）
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 原理 | 晶體離子復(fù)合（晶振 + 離子） |
| 測量范圍 | 5×10?11 – 1×10?2 Pa（5×10?11 – 1×10?2 Torr） |
| 精度 | ±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa） |
| 響應(yīng)時(shí)間 | 0.1 s（晶振） / 1 s（離子） |
| 輸出信號(hào) | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA（實(shí)時(shí)） |
| 真空接口 | NW16（可轉(zhuǎn) NW25/NW40） |
| 接觸材料 | 316L + 藍(lán)寶石（晶振） |
| 溫度范圍 | -10 – 80 ℃（無凝露） |
| 電源 | DC 24 V 1 A（含 100-240 V 適配器） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.9 kg |
| 壽命 | 10 年（連續(xù)運(yùn)行） |
三、功能亮點(diǎn)
- 5×10?11 Pa 超高真空：晶振 + 離子復(fù)合，10?11 Pa 級(jí)監(jiān)測
- 0.1 s 高速響應(yīng)：晶振 0.1 s，適合快速真空變化
- 0.9 kg 超輕：可直接貼腔體，不增加機(jī)械負(fù)載
- ±10 % 高精度：±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa），工藝重復(fù)性高
- 0-10 V + RS-485：實(shí)時(shí)真空度，可接 PLC / DCS
- 10 年壽命：晶振 + 離子復(fù)合，10 年免維護(hù)
四、典型應(yīng)用系統(tǒng)
半導(dǎo)體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘- 真空度 5×10?11 Pa，0.1 s 響應(yīng)，工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測
- RS-485 實(shí)時(shí)輸出，PLC 閉環(huán)控制
五、實(shí)測數(shù)據(jù)（半導(dǎo)體驗(yàn)證）
- 真空腔：1×10?11 Pa，25 ℃
- M-336MX：
- 真空度 5×10?11 Pa（0.1 s）
- 精度 ±10 %（5×10?11 Pa）
- 壽命 10 年（連續(xù)運(yùn)行）
半導(dǎo)體制造裝置測量用 · 晶體離子 · 高真空 · 超高真空
5×10?11 – 1×10?2 Pa · 晶振 + 離子 · 0.1 s 響應(yīng) · 重量 0.9 kg
一、產(chǎn)品定位
- 半導(dǎo)體制造裝置測量用：MOCVD、干刻、離子注入、ALD、PVD
- 晶體離子真空計(jì)：晶振 + 離子復(fù)合，5×10?11 – 1×10?2 Pa
- 高真空/超高真空：10?11 Pa 級(jí)，適合超高真空工藝監(jiān)測
- M-336MX：晶振 + 離子復(fù)合，0.1 s 響應(yīng)，重量 0.9 kg
二、核心技術(shù)參數(shù)（M-336MX）
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
|---|---|
| 原理 | 晶體離子復(fù)合（晶振 + 離子） |
| 測量范圍 | 5×10?11 – 1×10?2 Pa（5×10?11 – 1×10?2 Torr） |
| 精度 | ±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa） |
| 響應(yīng)時(shí)間 | 0.1 s（晶振） / 1 s（離子） |
| 輸出信號(hào) | 0-10 V + RS-485 + 4-20 mA（實(shí)時(shí)） |
| 真空接口 | NW16（可轉(zhuǎn) NW25/NW40） |
| 接觸材料 | 316L + 藍(lán)寶石（晶振） |
| 溫度范圍 | -10 – 80 ℃（無凝露） |
| 電源 | DC 24 V 1 A（含 100-240 V 適配器） |
| 尺寸/重量 | Φ25×80 mm，0.9 kg |
| 壽命 | 10 年（連續(xù)運(yùn)行） |
三、功能亮點(diǎn)
- 5×10?11 Pa 超高真空：晶振 + 離子復(fù)合，10?11 Pa 級(jí)監(jiān)測
- 0.1 s 高速響應(yīng)：晶振 0.1 s，適合快速真空變化
- 0.9 kg 超輕：可直接貼腔體，不增加機(jī)械負(fù)載
- ±10 % 高精度：±10 %（5×10?11 – 1×10?2 Pa），工藝重復(fù)性高
- 0-10 V + RS-485：實(shí)時(shí)真空度，可接 PLC / DCS
- 10 年壽命：晶振 + 離子復(fù)合，10 年免維護(hù)
四、典型應(yīng)用系統(tǒng)
半導(dǎo)體超高真空工藝┌─ 超高真空腔體 ─┐│ │真空← M-336MX ← 真空饋通 NW16│ │└─ PLC/DCS ──────┘- 真空度 5×10?11 Pa，0.1 s 響應(yīng)，工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測
- RS-485 實(shí)時(shí)輸出，PLC 閉環(huán)控制
五、實(shí)測數(shù)據(jù)（半導(dǎo)體驗(yàn)證）
- 真空腔：1×10?11 Pa，25 ℃
- M-336MX：
- 真空度 5×10?11 Pa（0.1 s）
- 精度 ±10 %（5×10?11 Pa）
- 壽命 10 年（連續(xù)運(yùn)行）
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