日本napson非接觸式薄層電阻多點測量儀

• 由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進行測量而不會損壞它。
• 可編程測量模式和2-D / 3-D映射軟件
• *選項：安裝了額外的晶圓厚度測量探針

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導電薄膜相關（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

2-8英寸
（可選； 12英寸）

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω? cm 
（*所有探頭類型的總量程/厚度500um）
[抗剪強度] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總量程）

*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。

（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）

映射圖像

與超高電阻范圍兼容的非接觸式（電暈放電法）薄層電阻測量系統(tǒng)

商品名稱：CRN-100

產(chǎn)品圖片（可根據(jù)客戶要求進行各種定制）

產(chǎn)品特點

• 超高電阻范圍：以非接觸方式測量10E + 9至10E + 15Ω/□
• 平面多點測量功能
• 2D / 3D映射圖像顯示
• Windows 7軟件
• 測量數(shù)據(jù)可以CSV文件格式輸出
• 由于是非接觸型，因此可以不受接觸電阻的影響進行測量。

測量規(guī)格

測量目標

*通常，可以測量本設備測量范圍內的任何樣品。請聯(lián)系我們。

?超高電阻薄膜樣品（a-Si，IGZO等）

?半導體材料接近絕緣

?導電橡膠

這樣

測量尺寸

尺寸：大300 x 400毫米

厚度：大2毫米

*我們可以自定義您的要求，例如尺寸支持。請聯(lián)系我們。

測量范圍

10E + 9?10E + 15Ω/□

傳單

*單擊下面的按鈕下載該產(chǎn)品的傳單。

映射圖像

產(chǎn)品信息

• 接觸電阻測量儀
• 非接觸電阻測量
  • 手動型（1點測量系統(tǒng)）
  • 半自動類型（多點測量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）
  • 全自動型（全自動測量系統(tǒng)）
  • 串聯(lián)型（嵌入式測量模塊）
• 壽命測量
• PN判斷
• 傳播阻力
• 4探頭探頭
• 平面度/厚度測量
• 電阻參考晶圓
• 線性刻度
• 膜厚測量系統(tǒng)（非接觸式，光學式）

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  技術介紹

  Napson電阻測量有兩種類型：接觸型和非接觸型。我們將介紹每種測量方法。

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  海外網(wǎng)絡

  介紹Napson的海外網(wǎng)絡。我們還為在海外工廠的交付和安裝提供全面的支持。

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  售后服務

  我們加強了售后服務，因此即使在接觸式交付后也可以穩(wěn)定地使用我們的產(chǎn)品。

 日本napson非接觸式薄層電阻多點測量儀